直讀式鹽密度測試儀

一、SHHZYMD-2000直讀式鹽密度測試儀產品簡介

用于電力系統防污閃檢測，是測量絕緣子表面等值附鹽密度（以下簡稱“鹽密"）的專用測量儀器，同時還可以測量溶液的電導率和溫度。整機以其測量精度高、測量范圍大、使用方便等特點廣泛地應用于電力、教學、科研及其它相關行業。

污穢等級的劃分和污穢等級分布圖的繪制是防污閃工作的基礎，準確的污穢等級分布圖是選擇輸、變電設備電瓷外絕緣爬距的依據。絕緣子表面等值附鹽密度值是判斷電瓷外絕緣污穢狀況嚴重程度的定量數據，是劃分污穢等級和繪制污區圖的重要依據之一。因此鹽密測量工作對電力系統安全運行有著重要的意義。

參照標準：

GB/T16434–1996《高壓架空線路和發電廠、變電所環境污穢分級及外絕緣選擇標準》

GB/T16434-200X《污穢條件下高壓絕緣子的選擇和尺寸確定第1部分：定義、信息和一般原則》

Q/GDW152-2006《高壓架空線路和發電廠、變電所環境污區分級及外絕緣選擇標準》

相關術語：

參照盤形懸式絕緣子reference cap and pin insulator

XP-70、XP-160、LXP-70和LXP-160普通盤形懸式絕緣子（根據GB/T 7253），通常7~9片組成一串用來測量現場污穢度。

爬電距離creepage distance

在兩個導電部分之間，沿絕緣體表面的*短距離。

注：水泥或其他非絕緣膠合材料表面不認為是爬電距離的構成部分。如果絕緣子的絕緣件的某些部分覆蓋有高電阻層，則該部分應認為是有效絕緣表面并且沿其上面的距離應包括在爬電距離內。

統一爬電比距unified specific creepage distance（USCD）

絕緣子的爬電距離與其兩端承擔的*高運行電壓（對于交流系統，為額定相電壓的1.1倍）之比，mm/kV。

附鹽密度salt deposit density（SDD）

人工涂覆于給定絕緣子表面（不包括金屬部件和裝配材料）上氯化鈉總量除以表面積，mg/cm2。

等值附鹽密度equivalent salt deposit density（ESDD）

絕緣子單位絕緣表面上的等值附鹽量，mg/cm2。

不溶物密度（簡稱灰密）non soluble deposit density（NSDD）

絕緣子單位絕緣表面上清洗的非可溶殘留物總量除以表面積，mg/cm2。

現場等值鹽度site equivalent salinity（SES）

根據GB/T 4585進行鹽霧試驗時的鹽度。用該鹽度試驗，在相同絕緣子和相同電壓下，產生的泄露電流峰值與現場自然污穢條件下的泄露電流基本相同。

現場污穢度site pollution severity（SPS）

在適當的時間段內測量到的污穢嚴重程度ESDD/NSDD或SES的*大值。

現場污穢度等級site pollution severity class

將污穢嚴重程度從非常輕到非常嚴重按SPS的分級。

帶電系數K1 energy coefficient K1

同形式絕緣子帶電所測ESDD/NSDD（SES）值與非帶電所測ESDD/NSDD（SES）值之比，K1一般為1.1~1.5。

二、SHHZYMD-2000直讀式鹽密度測試儀功能特點

1)具有量程自動切換功能，測量速度快（2.5s/次）。

2)測量范圍大，鹽密范圍0.0001mg/cm2～9.9999mg/cm2。

3)中英文界面可自主切換。

4)采用480*272彩色觸摸液晶屏幕。

5)可直接顯示并打印鹽密度、電導率、溫度、污穢等級、統一爬電比距。

6)自動進行溫度補償，直接顯示20℃時的標準電導率和等值附鹽（ESDD）。

7)具有原溶液含鹽量去皮的功能，降低了對清洗液的要求。

8)自動將不帶電測量的鹽密度（ESDD）轉換為帶電測量的鹽密度（ESDD）。

9)可存儲10萬組記錄，并可將記錄導出至U盤或通過打印機打印。

10)可查閱、刪除、導出單條記錄，也可刪除所有記錄。

11)內置大容量充電鋰電池（2600mAh），適合野外現場使用。

三、產品參數

3.1測量范圍：

鹽密：0.0001mg/cm2～9.9999mg/cm2（按X-4.5型絕緣子為準）

測量溫度：0℃～100℃

測量電導率：0～200000μs/cm

3.2基本誤差：

測量鹽密：分辨率0.0001 mg/cm2

滿量程精度：±2%

測量溫度：分辨率0.1℃，精度±0.5℃

測量電導率：分辨率0.01μs/cm

3.3環境溫度：0℃～60℃。

3.4環境濕度：<90%RH。

3.5體積與重量

整機機箱尺寸：長355mm*寬260mm*高130mm。

整機重量：約2.5Kg。

四、使用說明

4.1主機外觀與功能

4.2測試步驟

4.2.1配置溶劑

溶劑選擇：建議使用去離子水或蒸餾水。也可以使用質量合格的飲用純凈水，但以電導率小于10us/cm的水為宜。如果使用飲用純凈水，則需要修改“參數"--“基準值"，將原始溶液的含鹽量作為測量數據的基準值。（詳細操作見功能說明--參數）

溶劑用量：標準普通型絕緣子每片用水量為300ml。但是當被測絕緣子的表面積與普通絕緣子不同時，可參照下表，根據絕緣子表面積大小按比例適當增減用水量。

絕緣子表面積與鹽密測量用水量關系表

請使用燒杯等玻璃容器盛裝溶劑，嚴禁使用金屬容器。金屬容器會嚴重影響測量結果。

4.2.2擦拭取樣

絕緣子取樣選擇：普通懸式絕緣子串選取上數第2片、中間1片、下數第2片。將三片測量的結果求平均值作為測量結果。

擦拭方法：單手戴上一次性乳膠手套，取一片紗巾放在溶劑（蒸餾水）中浸濕。用濕紗巾將單片絕緣子的上下表面擦拭干凈，將污穢物連同紗巾放入水中攪拌溶解。在擦拭絕緣子表面時不要流失水分。

補充：取樣污穢物的成分分為兩類，一類為可溶解物質稱為鹽，另一類為非可溶物質稱為灰。鹽溶解于水后成為導電離子，儀器通過離子濃度來衡量ESDD?；以谒袨閼抑锖统两滴?，沒有導電性，不影響ESDD測量結果。測量鹽密度ESDD請使用本儀器，測量灰密度NSDD請使用絕緣子灰密度測試儀（成套裝置）。

4.2.3測試

根據實際溶液體積和絕緣子表面積修改相關參數。將電極頭浸入被測溶液中，即可讀取鹽密度ESDD、溶液電導率、溶液溫度、污穢等級、統一爬電比距等結果。

補充：標配電極常數K=1.0的電極，用于絕緣子鹽密度ESDD的測量。當使用鹽密儀用作其它用途，如測量工業廢水的電導率，且測量范圍在10000～100000us/cm，應換用電極常數K=10的鉑黑電極。如測量特殊化學溶劑的電導率，其范圍在1～50us/cm，且需要高測量精度時應換用電極常數K=0.1的鉑電極。K=10和K=0.1的電極不是標配電極，如需要請在購置時配置。

五、功能說明

5.1主界面

按鍵詳解:

5.2測量界面

按下開始測量按鍵，儀器進入測量模式。如未插電極，儀器提示“請接入電極"。測試完成后按“保存結果"鍵保存結果或“打印結果"鍵打印。界面如下:

數據詳解：

按鍵詳解:

5.3(1)參數界面(界面1)

觸屏按對應條目選擇修改對象，字體背景色為黑色。按“更改參數設置"鍵進入修改狀態(界面2)。參數設置完后選“恢復出廠"會設定成默認參數。注意,參數一旦設定完成,下次開機時參數即為設定值(不再是默認值,除非恢復出廠)。

參數詳細說明:

按鍵詳解:

(2)更改界面(界面2)

當前選中項為紅色背景,通過鍵盤輸入數據來更改參數大小。

5.4記錄界面

記錄界面如下:

按鍵詳解:

按“查看當前"進入詳細記錄界面,在詳細記錄界面中,所有的操作只針對當前記錄,可以打印單條,導出單條記錄至U盤,刪除一條記錄,具體界面如下:

按鍵詳解:

5.5本機界面

本機界面如下:

功能詳解:

六、維護保養

a)電導電極在使用前應用蒸餾水或去離子水浸泡，祛除電極表面的污物。用后也要用蒸餾水清洗干凈，干后收藏。要保持電導電極的清潔。

b)電導電極的電極頭容易敲碎。測量時，小心勿碰撞容器，以免損壞。

c)長時間不用時,請將電池電量充滿后存放。

七、配置清單

八、售后服務

a)儀器自售出之日起一個月內，如有質量問題，由我公司免費更換新儀器。

b)儀器一年內凡質量問題由我公司免費維修。

c)儀器使用超過一年，我公司負責長期維修，適當收取材料費。

d)若儀器出現故障，應寄回本公司修理，不得自行拆開儀表，否則造成的自損我公司概不負責。

e)如購銷合同另有約定的，以合同為準。

注：由于電極為易損物件，不在保修范圍內。

附錄A

GB/T16434–1996對污穢等級的劃分如下表

表1線路和發電廠、變電所污穢等級

附錄B

Q/GDW 152-2006對污穢等級的劃分如下圖：

圖1普通盤形絕緣子現場污穢度與等值鹽密/灰密的關系

注1：E1～E7對應表1中的7種典型污穢示例，a-b、b-c、c-d、d-e為各級污區的分界線；

注2：三條直線分別為灰密鹽密比值為10:1、5:1、2:1的等灰鹽比線。

附錄C

GB/T16434–1996污穢等級與爬電比距的關系如下表：

標注：

1、表中爬電比距計算時取系統*高線電壓（1.1倍額定線電壓），上表（）內數字為按額定線電壓計算值；

2、計算各污級下的絕緣強度時仍用幾何爬電距離。由于絕緣子爬電距離的有效系數需根據大量的人工與自然污穢試驗的結果確定，目前難以一一列出，見參考件3；

3、對電站設備0級（220kv及以下爬電比距為1.48cm/kv、330kv及以上爬電比距為1.55cm/kv），目前保留作為過渡時期的污級。

Q/GDW 152-2006統一爬電比距和現場污穢度的相互關系如下圖

圖2統一爬電比距和現場污穢度的相互關系

標注：

Q/GDW 152-2006中統一爬電比距為絕緣子爬電距離與絕緣子兩端*高運行電壓（1.1倍額定相電壓）之比。

爬電比距和統一爬電比距的對應關系如下表：

附錄D

常用絕緣子表面積及泄露距離一覽表

補充型號：

常用直流絕緣子表面積一覽表